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翔鸥贸易为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP65H9D0HSS-13 型号,现有大量现货库存。DMP65H9D0HSS-13的封装/规格参数为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时翔鸥贸易为您提供Diodes Incorporated品牌DMP65H9D0HSS-13型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有DMP65H9D0HSS-13详细使用方法及教程。
DMP65H9D0HSS-13 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | DMP65H9D0HSS-13 |
描述 | MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R |
制造商 | Diodes Incorporated |
库存 | 3467 |
系列 | - |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 9 欧姆 @ 300mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 17 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 740 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.25W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-SO |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |