24小时热线: 400-900-9110
地址
上海市奉贤区平庄西路1599号
400-900-9110
NVTFS5116PLWFTWG 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | NVTFS5116PLWFTWG |
描述 | MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN |
制造商 | onsemi |
库存 | 2398 |
系列 | Automotive, AEC-Q101 |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 52 毫欧 @ 7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1258 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.2W(Ta),21W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-WDFN(3.3x3.3) |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |