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翔鸥贸易为您提供STMicroelectronics设计生产的STU6N65M2-S 型号,现有大量现货库存。STU6N65M2-S的封装/规格参数为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;同时翔鸥贸易为您提供STMicroelectronics品牌STU6N65M2-S型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有STU6N65M2-S详细使用方法及教程。
STU6N65M2-S 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | STU6N65M2-S |
描述 | MOSFET N-CH 650V 4A IPAK |
制造商 | STMicroelectronics |
库存 | 3348 |
系列 | MDmesh™ M2 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.35 欧姆 @ 2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 9.8 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 226 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 60W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | I-PAK |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |