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翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies设计生产的IPL60R1K5C6SATMA1 型号,现有大量现货库存。IPL60R1K5C6SATMA1的封装/规格参数为8-PowerTDFN;同时翔鸥贸易为您提供Infineon Technologies品牌IPL60R1K5C6SATMA1型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IPL60R1K5C6SATMA1详细使用方法及教程。
IPL60R1K5C6SATMA1 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | IPL60R1K5C6SATMA1 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK |
制造商 | Infineon Technologies |
库存 | 4673 |
系列 | CoolMOS™ C6 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.5 欧姆 @ 1.1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 90µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 9.4 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 200 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 26.6W(Tc) |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-ThinPak(5x6) |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |