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翔鸥贸易为您提供NXP USA Inc.设计生产的PSMN8R5-108ESQ 型号,现有大量现货库存。PSMN8R5-108ESQ的封装/规格参数为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;同时翔鸥贸易为您提供NXP USA Inc.品牌PSMN8R5-108ESQ型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有PSMN8R5-108ESQ详细使用方法及教程。
PSMN8R5-108ESQ 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | PSMN8R5-108ESQ |
描述 | MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK |
制造商 | NXP USA Inc. |
库存 | 4243 |
系列 | - |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 108 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A(Tj) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8.5 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 111 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5512 pF @ 50 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 263W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | I2PAK |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |