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| G5S06506QT 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | G5S06506QT |
| 描述 | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A DFN8* |
| 制造商 | Global Power Technology Co. Ltd |
| 库存 | 8230 |
| 系列 | - |
| 二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 650 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 34A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.5 V @ 6 A |
| 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 0 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 µA @ 650 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 395pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 4-PowerTSFN |
| 供应商器件封装 | 4-DFN（8x8） |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
