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| NCD57090DDWR2G 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | NCD57090DDWR2G |
| 描述 | ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE |
| 制造商 | onsemi |
| 库存 | 8729 |
| 系列 | Automotive, AEC-Q100 |
| 技术 | 容性耦合 |
| 通道数 | 1 |
| 电压 - 隔离 | 5000Vrms |
| 共模瞬变抗扰度（最小值） | 100kV/µs（最大） |
| 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值） | 90ns，90ns |
| 脉宽失真（最大） | 25ns |
| 上升/下降时间（典型值） | 13ns，13ns |
| 电流 - 输出高、低 | 6.5A，6.5A |
| 电流 - 峰值输出 | 6.5A |
| 电压 - 正向 (Vf)（典型值） | - |
| 电流 - DC 正向 (If)（最大值） | - |
| 电压 - 输出供电 | 0V ~ 32V |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 认证机构 | VDE |
