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RYM002N05T2CL 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | RYM002N05T2CL |
描述 | MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3 |
制造商 | Rohm Semiconductor |
库存 | 8589 |
系列 | - |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 50 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 0.9V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 800mV @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - |
Vgs(最大值) | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 26 pF @ 10 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 150mW(Ta) |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | VMT3 |
封装/外壳 | SOT-723 |