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DMN3200U-7

现货

翔鸥贸易为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN3200U-7 型号,现有大量现货库存。DMN3200U-7的封装/规格参数为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;同时翔鸥贸易为您提供Diodes Incorporated品牌DMN3200U-7型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有DMN3200U-7详细使用方法及教程。

制造商:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存:4609
规格书:
DMN3200U-7 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 DMN3200U-7
描述 MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
制造商 Diodes Incorporated
库存 4609
系列 -
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 90 毫欧 @ 2.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 290 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 650mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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