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SSM6J511NU,LF

现货

翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM6J511NU,LF 型号,现有大量现货库存。SSM6J511NU,LF的封装/规格参数为6-WDFN 裸露焊盘;同时翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage品牌SSM6J511NU,LF型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SSM6J511NU,LF详细使用方法及教程。

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘
库存:3016
规格书:
SSM6J511NU,LF 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 SSM6J511NU,LF
描述 MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 3016
系列 U-MOSVII
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 14A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9.1 毫欧 @ 4A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 47 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3350 pF @ 6 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-UDFNB(2x2)
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
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