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SI2307CDS-T1-GE3

现货

翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix设计生产的SI2307CDS-T1-GE3 型号,现有大量现货库存。SI2307CDS-T1-GE3的封装/规格参数为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;同时翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix品牌SI2307CDS-T1-GE3型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SI2307CDS-T1-GE3详细使用方法及教程。

制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存:1854
规格书:
SI2307CDS-T1-GE3 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 SI2307CDS-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
制造商 Vishay Siliconix
库存 1854
系列 TrenchFET®
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 88 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 340 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.1W(Ta),1.8W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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