SST25VF080B-50-4I-S2AF-T存储器集成电路（IC）-型号参数
技术参数
| 品牌： | MICROCHIP |
| 型号： | SST25VF080B-50-4I-S2AF-T |
| 封装： | SOIJ-8 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 19000 |
| 制造商： | Microchip |
| 产品种类： | NOR闪存 |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOIJ-8 |
| 系列： | SST25VF |
| 存储容量： | 8 Mbit |
| 最大时钟频率： | 50 MHz |
| 接口类型： | SPI |
| 定时类型： | Synchronous |
| 数据总线宽度： | 8 bit |
| 电源电压-最小： | 2.7 V |
| 电源电压-最大： | 3.6 V |
| 电源电流—最大值： | 15 mA |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 85 C |
| 存储类型： | Serial Flash |
| 速度： | 50 MHz |
| 结构： | Sector |
| 湿度敏感性： | Yes |
| 单位重量： | 540 mg |
描述：25系列串行闪存系列具有四线.SPl兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的板空间，并最终降低总系统成本。SST25VF080B设备通过改进的工作频率和更低的功耗得到了增强。ST25VF080BSPi串行闪存采用专有的高性能CMoS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分体式栅元设计和厚氧化剂喷射器具有更好的可靠性和可制造性。SST25VF0808器件在降低功耗的同时，显著提高了性能和可靠性。SST25VF080B的设备使用2.7V-3.6V的单一电源进行写入（编程或擦除）。消耗的总能量是施加的电压、电流和施加时间的函数。由于在任何给定的电压范围内，SuperFlash技术都使用无电流编程，擦除时间更短。在任何擦除或编程操作过程中消耗的总能量都低于其他闪存技术。。
