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  • 23-12-27
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VND5E050ACKTR-E双通道高端驱动器-技术资料

技术参数品牌:ST型号:VND5E050ACKTR-E封装:SSOP24批号:21+数量:3000制造商:STMicroelectronics产品种类:门驱动器RoHS:是系列:VND5E050ACK-E资格:AEC-Q100湿度敏感性:Yes单位重量:486 mg描述:VND5E050ACJ-E和VND5E050HA...…

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  • 23-12-27
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MKE14Z256VLH7闪存微控制器-技术资料

核心处理器和系统:•ARM®Cortex®-M0+内核,最高支持72 MHz频率•基于ARMv6体系结构和Thumb®-2 ISA(拇指®-2 ISA)•可配置嵌套矢量中断控制器(NVIC)•内存映射除法和平方根模块(毫米/平方英寸)•8通道DMA控制器,可扩展至63个通道使用DMAMUX可靠性、安全性和安保:•闪存访...…

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  • 23-12-27
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MP1584EN-LF-Z电源管理(PMIC) 稳压器 - DC-DC 开关稳压器

技术参数品牌:MPS/美国芯源型号:MP1584EN-LF-Z封装:SOP8批号:22+数量:20589类别:集成电路(IC) PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器制造商:Monolithic Power Systems Inc.功能:降压输出配置:正拓扑:降压输出类型:可调式输出数:1电压 - 输入(最小...…

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  • 23-12-27
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TPS54140DGQR电源管理(PMIC) 稳压器 - DC-DC 开关稳压器

V...技术参数品牌:TI型号:TPS54140DGQR封装:MSOP10批号:2021+数量:30000类别:集成电路(IC) PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器制造商:Texas Instruments系列:Eco-Mode™功能:降压输出配置:正拓扑:降压输出类型:可调式输出数:1电压 - 输入(最...…

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  • 23-12-27
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LM337D2TR4G电源管理(PMIC) 稳压器 - 线性中文参数

技术参数品牌:ON安森美型号:LM337D2TR4G封装:TO-263-2批号:21+数量:10000类别:集成电路(IC) PMIC - 稳压器 - 线性制造商:onsemi产品状态:在售输出配置:负输出类型:可调式稳压器数:1电压 - 输入(最大值):-40V电压 - 输出(最小值/固定):-1.2V电压 - 输出...…

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  • 23-12-26
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NUD3124DMT1G配电开关,负载驱动器中文参数

技术参数品牌:ON SEMICONDUCTOR型号:NUD3124DMT1G封装:*数量:10000制造商:ON Semiconductor产品种类:门驱动器RoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-74-6输出端数量:2 Output配置:Dual上升时间:725 ns下降时间:556 nsPd-功率...…

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  • 23-12-26
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NCP367DPMUECTBG电源控制器,监视器中文资料

技术参数品牌:ONSEMI型号:NCP367DPMUECTBG封装:NA批号:18+ROHS数量:8000制造商:ON Semiconductor产品种类:电池管理RoHS:是电池类型:Li-Ion输出电压:30 V输出电流:2.8 A工作电源电压:1.2 V to 28 V工作电源电流:35 uA最小工作温度:- 4...…

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  • 23-12-26
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MC33340DG电池充电器芯片中文资料

MC33340和MC33342是单片控制IC专门设计为镍镉快速充电控制器(NiCd)和镍氢(NiMH)电池。这些设备以负斜率电压检测为主要手段充电终止。通过输出确保准确检测瞬时中断充电电流以获得精确电压取样。另一种辅助备份终止方法可以选择由可编程时间或温度组成的限度保护功能包括电池过电压和欠电压检测、锁存过温检测和电源...…

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  • 23-12-26
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IRFP4110PBF汽车芯片中文参数

技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IRFP4110PBF封装:N/A批号:2123+数量:210494制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:1...…

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  • 23-12-26
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AUIRS21814STR汽车栅极驱动 IC中文资料

技术参数品牌:infineon型号:AUIRS21814STR批号:21+数量:16000类别:集成电路(IC) PMIC - 栅极驱动器制造商:Infineon Technologies驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET电压 - 供电:10V ~ 20V逻辑电压 - ...…

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