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TSM60N1R4CH C5G

现货

翔鸥贸易为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TSM60N1R4CH C5G 型号,现有大量现货库存。TSM60N1R4CH C5G的封装/规格参数为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;同时翔鸥贸易为您提供Taiwan Semiconductor Corporation品牌TSM60N1R4CH C5G型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TSM60N1R4CH C5G详细使用方法及教程。

制造商:Taiwan Semiconductor Corporation
描述:MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
库存:3667
规格书:
TSM60N1R4CH C5G 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 TSM60N1R4CH C5G
描述 MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
库存 3667
系列 -
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.4 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 370 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 38W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-251(IPAK)
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
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