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翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPN4R203NC,L1Q 型号，现有大量现货库存。TPN4R203NC,L1Q的封装/规格参数为8-PowerVDFN；同时翔鸥贸易为您提供Toshiba Semiconductor and Storage品牌TPN4R203NC,L1Q型号数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPN4R203NC,L1Q详细使用方法及教程。
| TPN4R203NC,L1Q 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TPN4R203NC,L1Q |
| 描述 | MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 4686 |
| 系列 | U-MOSVIII |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.2 毫欧 @ 11.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 200µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 24 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1370 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta），22W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-TSON Advance（3.1x3.1） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
