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翔鸥贸易为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TSM150NB04CR RLG 型号,现有大量现货库存。TSM150NB04CR RLG的封装/规格参数为8-PowerLDFN;同时翔鸥贸易为您提供Taiwan Semiconductor Corporation品牌TSM150NB04CR RLG型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TSM150NB04CR RLG详细使用方法及教程。
TSM150NB04CR RLG 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | TSM150NB04CR RLG |
描述 | MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN |
制造商 | Taiwan Semiconductor Corporation |
库存 | 5182 |
系列 | - |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A(Ta),41A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 15 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 19 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1092 pF @ 20 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.1W(Ta),56W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-PDFN(5.2x5.75) |
封装/外壳 | 8-PowerLDFN |