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TSM080NB03CR RLG

现货

翔鸥贸易为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TSM080NB03CR RLG 型号,现有大量现货库存。TSM080NB03CR RLG的封装/规格参数为8-PowerTDFN;同时翔鸥贸易为您提供Taiwan Semiconductor Corporation品牌TSM080NB03CR RLG型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有TSM080NB03CR RLG详细使用方法及教程。

制造商:Taiwan Semiconductor Corporation
描述:MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
封装/外壳:8-PowerTDFN
库存:3499
规格书:
TSM080NB03CR RLG 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 TSM080NB03CR RLG
描述 MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
库存 3499
系列 -
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 14A(Ta),59A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 8 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1097 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),55.6W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-PDFN(5x6)
封装/外壳 8-PowerTDFN
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