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翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix设计生产的SI2318CDS-T1-GE3 型号,现有大量现货库存。SI2318CDS-T1-GE3的封装/规格参数为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;同时翔鸥贸易为您提供Vishay Siliconix品牌SI2318CDS-T1-GE3型号数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有SI2318CDS-T1-GE3详细使用方法及教程。
SI2318CDS-T1-GE3 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | SI2318CDS-T1-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3 |
制造商 | Vishay Siliconix |
库存 | 5185 |
系列 | TrenchFET® |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.6A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 42 毫欧 @ 4.3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 9 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 340 pF @ 20 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.25W(Ta),2.1W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |