24小时热线: 400-900-9110
地址
上海市奉贤区平庄西路1599号
400-900-9110
BSH103,215 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | BSH103,215 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB |
制造商 | Nexperia USA Inc. |
库存 | 4294 |
系列 | - |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 850mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 400 毫欧 @ 500mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 400mV @ 1mA(最小) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 2.1 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 83 pF @ 24 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 540mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |