TLE5012BE1000磁性传感器技术资料
技术参数
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | TLE5012B E1000 |
| 封装： | SOIC-8 |
| 批次： | 22+ |
| 数量： | 5742 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | 板机接口霍耳效应/磁性传感器 |
| RoHS： | 是 |
| 工作电源电流： | 14 mA |
| 最大输出电流： | - 25 mA |
| 工作电源电压： | 5 V |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | DSO-8 |
| 分辨率： | 15 bit, 16 bit |
| 系列： | TLE5012 |
| 端接类型： | SMD/SMT |
| 带开关： | No Switch |
| 湿度敏感性： | Yes |
| 电源电压-最大： | 5.5 V |
| 电源电压-最小： | 3 V |
| 零件号别名： | TLE5012BE1000FUMA1 SP000905682 TLE512BE1XT TLE5012BE1000FUMA1 |
特征
•基于巨磁阻（GMR）的原理
•用于角度测量的集成磁场传感
•360°角测量，带旋转计数器和角速度
测量
•两个独立的高精度单位SD-ADC
•输出上绝对角度值的15位表示（分辨率为0.01°）
•接口上正弦/余弦值的16位表示
•使用寿命和温度范围内最大1.0°角度误差，激活自动校准
•高达8 Mbit/s的双向SSC接口
•支持具有诊断功能和状态信息的安全完整性等级（SIL）
•接口：SSC、PWM、增量接口（IIF）、霍尔开关模式（HSM）、短PWM代码（SPC，基于SAE J2716中定义的SENT协议）
•输出引脚可以配置（编程或预配置）为推挽式或开放式漏极
•通过SSC或SPC接口，一条线上的多个传感器可以进行总线模式操作
•0.25μm CMOS技术
•汽车合格：-40°C至150°C（接头温度）
•ESD>4 kV（HBM）
•符合RoHS（无铅包装）
•无卤素
描述
TLE5012B是一个360°角度传感器，用于检测磁场的方向。这是通过以下方式实现的用单片集成巨磁电阻（iGMR）测量正弦和余弦角分量元素。这些原始信号（正弦和余弦）在内部进行数字处理，以计算角度磁场（磁体）的方向。TLE5012B是预校准传感器。校准参数存储在激光保险丝中。启动时熔丝的值被写入触发器，在触发器中，这些值可以根据具体应用而改变参数。在较宽的温度范围和较长的使用寿命内进一步提高角度测量的精度可以通过启用可选的内部自动校准算法来改进。数据通信通过双向同步串行通信（SSC）完成与SPI兼容。传感器配置存储在寄存器中，可通过SSC接口访问。此外，TLE5012B还有四个其他接口：脉宽调制（PWM）协议，短PWM码（SPC）协议、霍尔开关模式（HSM）和增量接口（IIF）。这些接口可以可与SSC并联使用或单独使用。具有不同接口设置的预配置传感器衍生产品可用（见表1和第5章）。提供在线诊断功能以确保可靠运行。
