NTR4003NT1G分立半导体产品 晶体管-行业资讯
技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | NTR4003NT1G |
| 封装： | SOT-23 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 99999 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | onsemi |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 500mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 2.5V，4V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 1.15 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 21 pF @ 5 V |
| 功率耗散（最大值）： | 690mW（Ta） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
特征
•低栅极电压阈值（VGS（TH）），以促进驱动电路设计
•用于快速切换的低栅极电荷
•ESD保护门
•SOT−23封装提供卓越的热性能
•最小击穿电压额定值为30 V
•汽车和其他需要NVR前缀的应用独特的现场和控制变更要求；AEC−第101季度合格且具备PPAP能力
•这些设备不含铅，符合RoHS标准
应用
•笔记本：
♦ 移位器
♦ 逻辑开关
♦ 低侧负载开关
