| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IRLR9343TRPBF |
| 封装： | TO-252 |
| 批号： | 15+ |
| 数量： | 2000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 类型： | P 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 105 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 47 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 660 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值）： | 79W（Tc） |
| 工作温度： | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
这个数字音频HEXFET“专门设计用于D类音频放大器的无源化。该MosFET采用了最新的处理技术，以实现每个硅区域的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化，以提高D类音频放大器的关键性能因素，如效率、THD和EMl。该MosMOSFET的其他特性为175'CΩ工作结温度和相应的雪崩能力。这些特性结合起来使Mog-E非常有效。适用于D类音频放大器的坚固可靠的设备。
