BSZ031NE2LS5金属氧化物半导体场效应晶体管-型号参数
技术参数
| 品牌： | Infineon/英飞凌 |
| 型号： | BSZ031NE2LS5 |
| 封装： | 进口封装 |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 8000 |
| RoHS： | 是 |
| 产品种类： | 电子元器件 |
| 最小工作温度： | -30C |
| 最大工作温度： | 125C |
| 最小电源电压： | 2V |
| 最大电源电压： | 9.5V |
| 长度： | 9.7mm |
| 宽度： | 8.2mm |
| 高度： | 2.6mm |
特点
•优化高性能Buck转换器
•适用于高频MPS的VeryLowFOMQOSS
•低频FOMSW用于高频MPS
•卓越的chargexRDS（on）产品（FOM）
•Verylowon电阻RDS（开）@VGS=4.5V
•100%雪崩测试
•N通道
•根据JEDEC1）关于目标应用程序的鉴定
•无铅电镀；符合RoHS
•符合IEC61249-2-21的无卤素
BSZ031NE2LS5 是一款 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的型号。以下是对其可能的描述：BSZ031NE2LS5 是一款 N沟道 MOSFET，常用于功率开关和电路控制应用。它具有低导通电阻和高开关速度，适用于高效能和高频率的电路设计。
该 MOSFET 的额定工作电压和额定电流取决于具体的规格。它采用了先进的 MOSFET 技术，具有优异的电性能和可靠性。
BSZ031NE2LS5 的封装形式可能是 TO-263 或其他类似的封装形式，方便在电路板上进行安装和焊接。
该 MOSFET 具有低开启电压和低漏电流，能够实现高效能的功率开关和电路控制。它还具有较低的开启和关闭时间，以实现快速的开关操作。
