技术参数
| 品牌： | MICROCHIP |
| 型号： | LND150K1-G |
| 封装： | SOT-23 |
| 批号： | 21+ |
| 数量： | 58888 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | Microchip Technology |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 13mA（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 0V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 1000 欧姆 @ 500µA，0V |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 10 pF @ 25 V |
| FET 功能： | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值）： | 360mW（Ta） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
特征
► 无二次击穿
► 低功率驱动要求
► 易于并联
► 优异的热稳定性
► 集成源漏二极管
► 高输入阻抗和低C ISS
► ESD栅极保护
应用
► 固态继电器
► 常开开关
► 转换器
► 电源电路
► 恒流源
► 输入保护电路
一般说明
LND150是高电压N沟道耗尽模式利用Supertex横向DMOS的（常开）晶体管技术该门具有ESD保护功能。LND150非常适合在常开开关区域，精确恒流电源、电压斜坡生成和放大
