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  • 24-01-04
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NSS60600MZ4T1G双极(BJT)单双极晶体管参数资料

技术参数品牌:Onsemi型号:NSS60600MZ4T1G数量:6666类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个制造商:onsemi产品状态:在售晶体管类型:PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6 A电压 - 集射极击穿(最大值):60 V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值...…

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  • 24-01-04
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FDS3992分立半导体产品晶体管-行业资讯

技术参数品牌:ON/安森美型号:FDS3992封装:NA批号:22+数量:2000制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SO-8晶体管极性:N-Channel通道数量:2 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:4....…

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  • 24-01-04
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NCV7520MWTXG门驱动器-技术参数

技术参数品牌:ON型号:NCV7520MWTXG封装:原厂封装批号:21+数量:5500制造商:ON Semiconductor产品种类:门驱动器RoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-32激励器数量:6 Driver输出端数量:6 Output输出电流:26.25 mA上升时间:277 ns下降时...…

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  • 24-01-04
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MKL03Z32VFK4RARM微控制器 - MCU-行业资讯

技术参数品牌:NXP/恩智浦型号:MKL03Z32VFK4R封装:原厂封装批号:21+数量:5500制造商:NXP产品种类:ARM微控制器 - MCU安装风格:SMD/SMT核心:ARM Cortex M0+程序存储器大小:32 kB数据总线宽度:32 bitADC分辨率:12 bit最大时钟频率:48 MHz输入/输...…

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  • 24-01-04
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SFH6156-3T晶体管,光电输出-行业资讯

技术参数品牌:VISHAY/威世型号:SFH6156-3T封装:SOP4批号:22+数量:44231类别:隔离器 光隔离器 - 晶体管,光电输出制造商:Vishay Semiconductor Opto Division通道数:1电压 - 隔离:5300Vrms电流传输比(最小值):100% @ 10mA电流传输比(最...…

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  • 24-01-03
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CAT24C64YI-GT3串行EEPROM器件行业资讯

技术参数品牌:ONSEMI型号:CAT24C64YI-GT3封装:ON批号:21+数量:50016对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级 (MSL):1(无限)类别:集成电路(IC)产品族:存储器存储器类型:非易失存储器格式:E...…

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  • 24-01-03
  • 翔鸥贸易
NTR4003NT1G分立半导体产品 晶体管-行业资讯

技术参数品牌:ON/安森美型号:NTR4003NT1G封装:SOT-23批号:22+数量:99999类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个制造商:onsemiFET 类型:N 通道漏源电压(Vdss):30 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA(Ta)驱动电压(最大 Rds O...…

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  • 24-01-03
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TMS320F2808PZA数字信号处理器和控制器-行业资讯

技术参数品牌:TI型号:TMS320F2808PZA封装:TQFP100批号:2021+数量:30000制造商:Texas Instruments产品种类:数字信号处理器和控制器 - DSP, DSCRoHS:是系列:TMS320F2808安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LQFP-100核心:C28x内核数量:...…

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  • 24-01-03
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LSM303AGRTR运动传感器 - IMU(惯性测量装置)-行业资讯

技术参数品牌:ST型号:LSM303AGRTR封装:LGA12批号:21+数量:20000对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级 (MSL):3(168 小时)类别:传感器,变送器产品族:运动传感器 - IMU(惯性测量装置)传...…

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  • 24-01-03
  • 翔鸥贸易
IPD50N04S4-10电子元器件-行业资讯

技术参数品牌:INFINEON/英飞凌型号:IPD50N04S4-10封装:TO252-3批次:21+数量:10000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:40 ...…

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