24小时热线: 400-900-9110
地址
上海市奉贤区平庄西路1599号
400-900-9110
EPC2110 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | EPC2110 |
描述 | GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE |
制造商 | EPC |
库存 | 6843 |
系列 | eGaN® |
FET 类型 | 2 N 沟道(双)共源 |
FET 功能 | GaNFET(氮化镓) |
漏源电压(Vdss) | 120V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 60 毫欧 @ 4A,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 700µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.8nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 80pF @ 60V |
功率 - 最大值 | - |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | - |
封装/外壳 | 模具 |
供应商器件封装 | 模具 |