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MSCSM120AM50T1AG 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | MSCSM120AM50T1AG |
描述 | PM-MOSFET-SIC-SP1F |
制造商 | Microchip Technology |
库存 | 6735 |
系列 | - |
FET 类型 | 2 N 沟道(相角) |
FET 功能 | 碳化硅(SiC) |
漏源电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 55A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 50 毫欧 @ 40A,20V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.7V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 137nC @ 20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1990pF @ 1000V |
功率 - 最大值 | 245W(Tc) |
工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | 模块 |
供应商器件封装 | - |