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| NTMFD0D9N02P1E 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | NTMFD0D9N02P1E |
| 描述 | IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP |
| 制造商 | onsemi |
| 库存 | 5164 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V，25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Ta），30A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 毫欧 @ 20A，10V，720µ欧姆 @ 41A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 340µA，2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9nC @ 4.5V，30nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1400pF @ 15V，5050pF @ 13V |
| 功率 - 最大值 | 960mW（Ta），1.04W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
