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| PHN210,118 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | PHN210,118 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC |
| 制造商 | NXP USA Inc. |
| 库存 | 5303 |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 250pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
