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NTJD5121NT1G 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | NTJD5121NT1G |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363 |
制造商 | onsemi |
库存 | 1805 |
系列 | - |
FET 类型 | 2 N-通道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 295mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.6 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.9nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 26pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 250mW |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |