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DMG1016V-7 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | DMG1016V-7 |
描述 | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 |
制造商 | Diodes Incorporated |
库存 | 3031 |
系列 | - |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 870mA,640mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 400 毫欧 @ 600mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.74nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 60.67pF @ 16V |
功率 - 最大值 | 530mW |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-563 |