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| DMN2016LHAB-7 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | DMN2016LHAB-7 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN |
| 制造商 | Diodes Incorporated |
| 库存 | 4765 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15.5 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1550pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | U-DFN2030-6（B 类） |
