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NDS9952A-F011 产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准! | |
制造商零件编号 | NDS9952A-F011 |
描述 | MOSFET N/P-CH 30V |
制造商 | onsemi |
库存 | 7551 |
系列 | - |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.9A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 80 毫欧 @ 1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 27nC @ 10V,5nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 320pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 900mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |