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| MSCSM120AM042T6AG 产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | MSCSM120AM042T6AG |
| 描述 | PM-MOSFET-SIC-SP6C |
| 制造商 | Microchip Technology |
| 库存 | 2360 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | 2 N 沟道（相角） |
| FET 功能 | 碳化硅（SiC） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 495A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.2 毫欧 @ 240A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 18mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1392nC @ 20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 18100pF @ 1000V |
| 功率 - 最大值 | 2.031kW（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 供应商器件封装 | - |
